专业性
责任心
高效率
科学性
全面性
第一节 产品技术发展现状
目前MOSFET和IGBT等全控型电力半导体器件的容量已日益扩大，既奠定了中高频电源的器件基础，与IGBT及MOSFET配套的驱动器和保护电路已系列化和标准化，给中高频和超音频感应加热电源奠定了基础和保证，带来了极大的方便。
国内有些企业正在开发以IGBT和MOSFET为主功率器件的高频电源，在国内已有批量生产的企业，但生产量相对晶闸管中频电源来说还是很少，其单机容量在200kW以内，工作频率基本上都在20kHz~200kHz范围，超过20kHz的中高频电源基本上都是应用MOSFET，由于MOSFET到今仍然难以制作出同时满足高电压、大电流的条件，所以不得不采用多个MOSFET并联的方案，从目前使用的实际情况来看，有直接将MOSFET并联，再逆变获得较大功率输出；也有直接将MOSFET构成逆变桥，再多个逆变桥并联的。
第二节 产品工艺特点或流程
高频感应加热电源是感应加热的关键设备之一，它是一种变换AC/DC/AC变换装置。可用于淬火、透热、熔炼、钎焊和烧结等加工工艺。
高频电源的生产中，按谐振回路拓扑结构的不同分为两大类，即并联型和串联型。
初期现代高频设备采用了同电子管高频类似的结构，主谐振回路也是采用了并联结构，但换流原理完全不同于现代的桥式逆变，这种电源的效率和现代高频逆变电源相比有较大差距。采用软开关全桥逆变电源的新型高频电源要考虑设备功率因数及设备保护等因素，较多地采用串联型结构。
用MOSFET作为开关器件的高频感应加热设备，生产时通过器件并联工作来扩容，从而解决工作容量小的问题。
主逆变器件采用IGBT的高频电源一般采用串联形式，由整流部分提供稳定的直流电源,逆变部分采用串联谐振。
第三节 国内外技术未来发展趋势分析
1、高频（频率高于100kHz）领域的感应加热电源将以MOSFET为主要器件，伴随着MOSFET制造工艺的不断进步和突破以MOSFET为主功率器件的高频电源将获得广泛的应用，其容量将不断扩大。
2、感应加热用高频电源的配套件将不断进步，更加标准化、更系列化，给高频电源的制造和维修带来更大的方便。
3、与感应加热用中高频电源配套的限制电网干扰，保证电网绿色化的EMI抑制技术，功率因数校正技术将获得广泛应用，并进一步改善中高频感应加热电源的输出波形和效率。
4、SIT及SITH这些器件将在我国中高频电源领域获得应用并填补我国至今没有自行开发应用这些器件制作的中高频感应加热电源的空白。
