全球太阳能光伏发电产业发展现状

第一节 全球光伏市场概述

世界级太阳能光伏市场装机量2007年达到创纪录的1744兆瓦，比上一年增长19%。2007年德国的网联PV市场达到960MW，现在已占据了55%的世界市场，而日本的市场规模增长不大，西班牙市场增长超过200%，而美国市场增长为33%，

世界太阳能电池总产量达到2204兆瓦，而在一年前的数字是1,656兆瓦。在过去的12个月中，日本生产者失去了阵地，份额由46%降至39%，而受益的是中国的电池制造商。

其中，多晶硅的生产在2007年上升了16%，加上光伏产业采购，其市场增长速度比十二个月前预期的稍高。然而，多晶硅的供应问题将在2007年继续制约太阳能电池的生产。

第二节 全球太阳能光伏市场装机容量分析

一、1995－2007年全球太阳能累计安装量分析

截至2007年底世界光伏累积安装容量已经超过11.25GW，尽管在整个世界电力市场只占到万分之三左右微不足道的份额（按照实际发电能力计算），但是光伏电力安装的增长速度要远高于其它常规电力能源的增长幅度。2005年世界光伏年度安装比上年增长57.5％，并占到世界全部电力装机容量的约1.5％，预计到2010年年度安装份额将增长到5％。

2007年全球太阳能电池安装量达到1744MW，同比增长19%，再次创出历史新高。06年，全球太阳能电池安装量19%的增速较05年36%的增速稍有回落主要受到德国市场波动的影响。05年德国市场的安装量高达837MW，同比增长53%。而06年德国市场仅安装960MW，同比增长16%。06年德国市场增长率明显放缓，主要原因是市场担心德国新政府改变政策，削减补贴。

2000年施罗德担任德国总理后出台《可再生能源优先法》，政府补贴法案极大地推动了德国光伏市场的发展。2005年德国大选时，德国政府的“绿电”补贴机制遭到了现任总理默克尔的质疑。默克尔曾攻击施罗德政府的能源补贴政策最终受益的是国外光伏企业，并声称要出台修正案对德国进口光伏产品进行限制。

德国《可再生能源优先法》每三年修订一次，2007年正是对现行法律重新修订的时间。正是由于市场担心德国政策的变化，06年下半年开始德国市场增速明显放缓。经过多年的发展，今日的德国光伏产业已经今非昔比，德国的光伏产业在市场开发与技术水平上均处于世界前列，Q-Cells、SolarWorld、Ersol、SolarWatt、Conergy等一大批德国光伏企业发展壮大。06年，德国光伏产业销售额达到30亿欧元，现有3000家光伏安装工程公司和50家光伏电池制造商，创造了40,000个新的工作机会。

总体上，我们对德国EEG的重新审议保持乐观态度。德国06年增速的下滑只是经历了多年快速增长后的短暂回调，一旦EEG法案修订尘埃落定，德国将进入新一轮的快速增长期。

在德国市场增速放缓的情况下，日本市场保持了平稳增长的态势，西班牙增长达到200%，美国亦快速增长33%。06年德国安装量占全球的比例由05年的57%下降至55%，日本的占比由05年的20%下降至17%。德国日本市场占比的下降说明全球其他地区持续增长，未来，其他国家市场的启动更加有利于全球光伏市场的平稳增长。在美国、欧洲市场即将全面启动、环保意识不断增强、高企的今天，全球光伏产业仍有望延续前10年30%以上的增长率，至2010年全球每年的安装量将高达5.4GW。

二、1994－2007年OECD国太阳能累计安装量分析

1994－2007年OECD国太阳能累计安装量

单位：MW

利用太阳能有许多优点，光伏发电将为人类提供主要的能源，但目前来讲，要使太阳能发电具有较大的市场，被广大的消费者接受，提高太阳电池的光电转换效率，降低生产成本应该是我们追求的最大目标，从目前国际太阳电池的发展过程可以看出其发展趋势为单晶硅、多晶硅、带状硅、薄膜材料（包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜）。从工业化发展来看，重心已由单晶向多晶方向发展，主要原因为；可供应太阳电池的头尾料愈来愈少；对太阳电池来讲，方形基片更合算，通过浇铸法和直接凝固法所获得的多晶硅可直接获得方形材料；多晶硅的生产工艺不断取得进展，全自动浇铸炉每生产周期（50小时）可生产200公斤以上的硅锭，晶粒的尺寸达到厘米级；由于近十年单晶硅工艺的研究与发展很快，其中工艺也被应用于多晶硅电池的生产，例如选择腐蚀发射结、背表面场、腐蚀绒面、表面和体钝化、细金属栅电极，采用丝网印刷技术可使栅电极的宽度降低到50微米，高度达到15微米以上，快速热退火技术用于多晶硅的生产可大大缩短工艺时间，单片热工序时间可在一分钟之内完成，采用该工艺在100平方厘米的多晶硅片上作出的电池转换效率超过14％。目前在50～60微米多晶硅衬底上制作的电池效率超过16％。利用机械刻槽、丝网印刷技术在100平方厘米多晶上效率超过17％，无机械刻槽在同样面积上效率达到16％，采用埋栅结构，机械刻槽在130平方厘米的多晶上电池效率达到15.8％。