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黑碳化硅产业技术发展分析

第一节 国内黑碳化硅产业主要技术成果

1、6H碳化硅产品在2350℃温度下生成品质最好,但寻找一种能够在高温、氧化和还原气氛下在线实时准确测量冶炼炉心温度的介质却是一个世界性难题。乐园集团与东南大学合作,做了几十次实验,换了近十种介质,经过三年时间艰苦试验,终于找出一条准确比对测温方法,该技术填补了国际空白,已获得国家一项发明专利和一项实用新型专利。改进后的冶炼技术实现节能约15%,每炉原料生成的产品也由原来的15吨提升到目前的22吨。

2、对提纯工序的测温不精确是制约世界范围内同行业生产的一大瓶颈。目前国内外企业普遍采用红外线测温技术,但测量温度与实际温度相差较大,影响产品稳定性。乐园集团科研人员通过两年的研发,开发了一种新型的实时检测与信息管理系统。该系统可对72台罐同时进行现场检测,测温也比国外技术更准确,且能耗和成本低、产品稳定性强。该项技术赢得了国外专家的交口称赞。

3、碳化硅单晶原料是碳化硅产品的第四代产品,可用于军工领域,国外限制该产品的出口。2006年,中科院面向全国招标,攻克此项技术难题。身为民营企业的乐园集团以雄厚的研发实力,在与20余家国内同行的竞争中轻松中标。经过不懈努力,他们与南京工业大学合作攻克了技术难题,成为国内惟一一家生产该产品的企业,又一次填补了国内该产品的空白。目前,他们生产的碳化硅单晶原料产品仅供给中科院物化研究所、上海硅酸盐研究所等国内高端研发机构使用。

第二节 国外黑碳化硅产业主要技术成果

研究发展电子器件封装用高导热、低热膨胀金属基复合材料是国际上金属基复合材料研究发展的最新动态之一。美国已研制成功了SiCp/Al、Sip/Al、C/Al等高性能电子封装用复合材料,用于高功率密度、高集成密度的电子器件,成为解决电子器件迅速传热、散热问题的关键材料。

第三节 黑碳化硅产业技术研究热点

针对正迅速发展的高集成度、高功率密度电子器件的需求,最近研究发展的电子封装复合材料之一为碳化硅颗粒增强铝基复合材料(SiCp含量为60%~75%)等。

 

免责申明:本文仅为中经纵横市场研究观点,不代表其他任何投资依据或执行标准等相关行为。如有其他问题,敬请来电垂询:4008099707。特此说明。

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